خازن لایه‌ای الکترونیک قدرت تولیدکننده OEM - طراحی خازن‌های لایه‌ای اسنابر جریان پیک بالا برای کاربردهای الکترونیک قدرت IGBT - CRE

خازن لایه‌ای الکترونیک قدرت تولیدکننده OEM - طراحی خازن‌های لایه‌ای اسنابر جریان پیک بالا برای کاربردهای الکترونیک قدرت IGBT – تصویر ویژه CRE

شرح مختصر:

برای ما ایمیل ارسال کنید دانلود به صورت PDF

جزئیات محصول

برچسب‌های محصول

ویدئوهای مرتبط

بازخورد (2)

ما معمولاً می‌توانیم به مشتریان محترم خود با خدمات عالی، با ارزش و خوب خود خدمات ارائه دهیم، زیرا بسیار متخصص‌تر و سخت‌کوش‌تر هستیم و این کار را به روشی مقرون‌به‌صرفه انجام می‌دهیم.خازن‌های فیلم قدرت دی‌سی , خازن DC-LINK برای کاربرد خودرو , خازن فیلم سفارشیما به درخواست شما احترام می‌گذاریم و واقعاً افتخار ماست که با هر یک از دوستانمان در سراسر جهان همکاری کنیم.

خازن لایه‌ای الکترونیک قدرت تولیدکننده OEM - طراحی خازن‌های لایه‌ای اسنابر جریان پیک بالا برای کاربردهای الکترونیک قدرت IGBT - CRE جزئیات:

داده‌های فنی

محدوده دمای عملیاتی	حداکثر دمای عملیاتی، بالا، حداکثر: +105℃ دمای دسته بالا: +85℃ دمای دسته پایین: -40℃
محدوده ظرفیت خازنی	0.1μF ~ 5.6μF
ولتاژ نامی	۷۰۰ ولت DC تا ۳۰۰۰ ولت DC
کاپ.تول	±5%(ژول)؛ ±10%(کلوین)
ولتاژ را تحمل کنید	۱.۵ یونیت DC/10S
ضریب اتلاف	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
مقاومت عایق	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (در دمای 20 درجه سانتیگراد، 100 ولت، جریان مستقیم، 60 ثانیه) C> 0.33μF RS*C≥5000S (در دمای 20 درجه سانتیگراد 100 ولت DC 60 ثانیه)
مقاومت در برابر جریان ضربه‌ای	به برگه اطلاعات مراجعه کنید
مهار شعله	UL94V-0
امید به زندگی	100000h (Un; Θhotspot≤85°C)
استاندارد مرجع	IEC61071؛ GB/T17702؛

جدول مشخصات

ولتاژ	یونی ۷۰۰ ولت. دی سی، یورم ۴۰۰ ولت متناوب؛ یو اس ۱۰۵۰ ولت
	قطر (میلی‌متر)
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR در ۱۰۰ کیلوهرتز (میلی اهم)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	دما در ۴۰ درجه سانتیگراد و ۱۰۰ کیلوهرتز (آمپر)
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	12	25	۵۰۰	۲۳۵	8
۰.۶۸	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	10	25	۴۸۰	۳۲۶.۴	10
1	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	8	24	۴۵۰	۴۵۰	12
۱.۵	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	7	25	۴۳۰	۶۴۵ عدد	5
2	۴۲.۵	33	۳۵.۵	6	24	۴۲۰	۸۴۰	15
۲.۵	۴۲.۵	33	45	6	23	۴۰۰	۱۰۰۰	18
3	۴۲.۵	33	45	۵.۵	22	۳۸۰	۱۱۴۰	20
3	۵۷.۵	30	45	5	26	۳۵۰	۱۰۵۰	22
۳.۵	۴۲.۵	33	45	5	23	۳۵۰	۱۲۲۵	25
۳.۵	۵۷.۵	30	45	6	25	۳۰۰	۱۰۵۰	22
۴.۷	۵۷.۵	35	50	5	28	۲۸۰	۱۳۱۶	25
۵.۶	۵۷.۵	38	54	4	30	۲۵۰	۱۴۰۰	25
6	۵۷.۵	38	54	۳.۵	33	۲۳۰	۱۳۸۰	28
۶.۸	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۲	32	۲۲۰	۱۴۹۶	32
8	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۲.۸	30	۲۰۰	۱۶۰۰	33
ولتاژ	یک 1000 ولت DC، 500 ولت متناوب Urms؛ 1500 ولت Uss
	قطر (میلی‌متر)
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	11	25	۱۰۰۰	۴۷۰	10
۰.۶۸	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	8	25	۸۰۰	۵۴۴ عدد	12
1	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	6	24	۸۰۰	۸۰۰	15
۱.۵	۴۲.۵	33	45	6	24	۷۰۰	۱۰۵۰	15
2	۴۲.۵	33	45	5	22	۷۰۰	۱۴۰۰	20
۲.۵	۵۷.۵	30	45	5	30	۶۰۰	۱۵۰۰	22
3	۵۷.۵	35	50	4	30	۶۰۰	۱۸۰۰	25
۳.۳	۵۷.۵	35	50	۳.۵	28	۵۵۰	۱۸۱۵	25
۳.۵	۵۷.۵	38	54	۳.۵	28	۵۰۰	۱۷۵۰	25
4	۵۷.۵	38	54	۳.۲	26	۵۰۰	۲۰۰۰	28
۴.۷	۵۷.۵	۴۲.۵	56	3	25	۴۲۰	۱۹۷۴	30
۵.۶	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۲.۸	24	۴۰۰	۲۲۴۰	32
ولتاژ	Un 1200V.DC، Urms550Vac؛ Us1800V
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	11	24	۱۲۰۰	۵۶۴	10
۰.۶۸	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	7	23	۱۱۰۰	748	12
1	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	6	22	۸۰۰	۸۰۰	14
۱.۵	۴۲.۵	33	45	5	20	۸۰۰	۱۲۰۰	15
2	۵۷.۵	30	45	4	30	۷۵۰	۱۵۰۰	20
۲.۵	۵۷.۵	35	50	4	28	۷۰۰	۱۷۵۰	25
3	۵۷.۵	35	50	4	27	۶۰۰	۱۸۰۰	25
۳.۳	۵۷.۵	38	54	4	27	۵۵۰	۱۸۱۵	28
۳.۵	۵۷.۵	38	54	۳.۵	25	۵۰۰	۱۷۵۰	28
4	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۵	25	۴۵۰	۱۸۰۰	30
۴.۷	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۲	23	۴۲۰	۱۹۷۴	32
ولتاژ	یونی 1700 ولت. دی سی، اورمس 575 ولت متناوب؛ یو اس بی 2250 ولت
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۳۳	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	12	25	۱۳۰۰	۴۲۹	9
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	10	24	۱۳۰۰	۶۱۱	10
۰.۶۸	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	8	23	۱۳۰۰	۸۸۴	12
1	۴۲.۵	33	45	7	22	۱۲۰۰	۱۲۰۰	15
۱.۵	۴۲.۵	33	45	6	22	۱۲۰۰	۱۸۰۰	18
۱.۵	۵۷.۵	30	45	5	31	۱۲۰۰	۱۸۰۰	20
2	۵۷.۵	30	45	5	30	۱۱۰۰	۲۲۰۰	22
۲.۵	۵۷.۵	35	50	4	28	۱۱۰۰	۲۷۵۰	25
3	۵۷.۵	38	54	4	27	۷۰۰	۲۱۰۰	25
۳.۳	۵۷.۵	38	54	۳.۸	26	۶۰۰	۱۹۸۰	28
۳.۵	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۵	25	۵۰۰	۱۷۵۰	30
4	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۲	25	۴۵۰	۱۸۰۰	32
ولتاژ	یونی 2000 ولت. دی سی، اورمس 700 ولت متناوب؛ یو اس 3000 ولت
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۲۲	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	15	25	۱۵۰۰	۳۳۰	10
۰.۳۳	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	12	24	۱۵۰۰	۴۹۵	12
۰.۴۷	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	11	23	۱۴۰۰	۶۵۸	15
۰.۶۸	۴۲.۵	33	45	8	22	۱۲۰۰	۸۱۶ عدد	18
۰.۶۸	۵۷.۵	30	45	7	30	۱۱۰۰	748	20
۰.۸۲	۴۲.۵	33	45	7	28	۱۲۰۰	۹۸۴	22
1	۵۷.۵	30	45	6	28	۱۱۰۰	۱۱۰۰	25
۱.۵	۵۷.۵	35	50	5	25	۱۰۰۰	۱۵۰۰	28
2	۵۷.۵	38	54	5	24	۸۰۰	۱۶۰۰	28
۲.۲	۵۷.۵	۴۲.۵	56	4	23	۷۰۰	۱۵۴۰	32
ولتاژ	Un 3000V.DC، Urms750Vac؛ Us4500V
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۱۵	۴۲.۵	33	45	18	28	۲۵۰۰	۳۷۵	25
۰.۲۲	۴۲.۵	33	45	15	27	۲۲۰۰	۴۸۴	28
۰.۲۲	۵۷.۵	35	50	15	25	۲۰۰۰	۳۳۰	20
۰.۳۳	۵۷.۵	35	50	12	24	۱۸۰۰	۴۹۵	20
۰.۴۷	۵۷.۵	38	54	11	23	۱۶۰۰	۷۵۲ عدد	22
۰.۶۸	۵۷.۵	۴۲.۵	56	8	22	۱۵۰۰	۱۰۲۰	28

تصاویر جزئیات محصول:

راهنمای محصولات مرتبط:

ما برای تعالی تلاش می‌کنیم، به مشتریان خدمت می‌کنیم"، امیدوار است که به بهترین تیم همکاری و شرکت مسلط برای پرسنل، تأمین‌کنندگان و مشتریان تبدیل شود، سهم ارزش و ارتقاء مستمر را برای تولیدکننده اصلی خازن فیلم الکترونیک قدرت - طراحی خازن‌های فیلم اسنابر جریان اوج بالا برای کاربردهای الکترونیک قدرت IGBT - CRE محقق می‌کند. این محصول به سراسر جهان، مانند: امارات متحده عربی، گواتمالا، آفریقای جنوبی، عرضه خواهد شد. ما کاملاً از نیازهای مشتریان خود آگاه هستیم. ما محصولات با کیفیت بالا، قیمت‌های رقابتی و خدمات درجه یک ارائه می‌دهیم. ما مایلیم در آینده نزدیک روابط تجاری خوب و همچنین دوستی با شما برقرار کنیم.

خازن لایه‌ای اسنابر محوری