• bbb

خازن فیلم متالیزه IGBT Snubber

توضیح کوتاه:

1. مورد پلاستیکی، مهر و موم شده با رزین.

2. درج مس قلع اندود، نصب آسان برای IGBT.

3. مقاومت در برابر ولتاژ بالا، tgδ کم، افزایش دما کم.

4. ESL و ESR پایین.

5. جریان پالس بالا.

 


جزئیات محصول

برچسب های محصول

سری SMJ-P

در کاربردهای الکترونیک قدرت، یک خازن اسنابر به منظور کاهش اندوکتانس انگلی سیم کشی الکتریکی به یک گره سوئیچینگ جریان بزرگ متصل می شود.

اندوکتانس انگلی باعث ایجاد یک موج بزرگ در هنگام خاموش شدن می شود (زمانی که جریان مسدود می شود) و اگر چنین نوسانی از رتبه بندی قطعات فراتر رود، نگرانی هایی در مورد خرابی متعاقب آن در بدترین حالت وجود دارد.

سری SMJ-P با استفاده از ساختارهای داخلی با اندوکتانس پایین، موارد رزینی قالب‌گیری شده اختیاری و پایانه‌های سفارشی‌شده، برای تعویض سریع IGBTS طراحی شده‌اند و می‌توانند به عنوان فیلترهای ورودی با فرکانس بالا و جریان بالا عمل کنند.

خازن اسنابر

داده های تکنیکی

ولتاژ Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
ابعاد (mm)
Cn(μF) L(1±) T(1±) H(1±) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
ولتاژ Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
ابعاد (mm)
Cn(μF) L(1±) T(1±) H(1±) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
ولتاژ Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF) L(1±) T(1±) H(1±) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 32
ولتاژ Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) L(1±) T(1±) H(1±) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
ولتاژ Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) L(1±) T(1±) H(1±) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
ولتاژ Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF) L(1±) T(1±) H(1±) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

  • قبلی:
  • بعد:

  • پیام خود را برای ما ارسال کنید:

    پیام خود را اینجا بنویسید و برای ما ارسال کنید

    پیام خود را برای ما ارسال کنید: