انتخاب گسترده برای خازن لینک DC برای مبدل‌های صنعتی - طراحی خازن اسنابر IGBT درجه یک برای کاربردهای توان بالا - CRE

انتخاب گسترده برای خازن لینک DC برای مبدل‌های صنعتی - طراحی خازن اسنابر IGBT درجه یک برای کاربردهای توان بالا - تصویر ویژه CRE

شرح مختصر:

برای ما ایمیل ارسال کنید دانلود به صورت PDF

جزئیات محصول

برچسب‌های محصول

ویدئوهای مرتبط

بازخورد (2)

ما به روحیه سازمانی خود یعنی "کیفیت، کارایی، نوآوری و صداقت" پایبندیم. هدف ما ایجاد ارزش بیشتر برای مشتریانمان با منابع غنی، ماشین آلات پیشرفته، کارکنان باتجربه و خدمات عالی برای ... است.خازن اسنابر , خازن رزونانس کوره فرکانس متوسط , خازن فیلم پلاستیکی متالیزه شدهما از مشتریان داخلی و خارجی که برای ما درخواست ارسال می‌کنند، صمیمانه استقبال می‌کنیم، ما 24 ساعت شبانه‌روز در خدمت شما هستیم! در هر زمان و هر مکان، ما همچنان اینجا هستیم تا شریک شما باشیم.

انتخاب گسترده برای خازن‌های DC-Link برای مبدل‌های صنعتی - طراحی خازن اسنابر IGBT درجه یک برای کاربردهای توان بالا - جزئیات CRE:

داده‌های فنی

محدوده دمای عملیاتی	حداکثر دمای عملیاتی، بالا، حداکثر: +105℃ دمای دسته بالا: +85℃ دمای دسته پایین: -40℃
محدوده ظرفیت خازنی	0.1μF ~ 5.6μF
ولتاژ نامی	۷۰۰ ولت DC تا ۳۰۰۰ ولت DC
کاپ.تول	±5%(ژول)؛ ±10%(کلوین)
ولتاژ را تحمل کنید	۱.۵ یونیت DC/10S
ضریب اتلاف	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
مقاومت عایق	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (در دمای 20 درجه سانتیگراد، 100 ولت، جریان مستقیم، 60 ثانیه) C> 0.33μF RS*C≥5000S (در دمای 20 درجه سانتیگراد 100 ولت DC 60 ثانیه)
مقاومت در برابر جریان ضربه‌ای	به برگه اطلاعات مراجعه کنید
مهار شعله	UL94V-0
امید به زندگی	100000h (Un; Θhotspot≤85°C)
استاندارد مرجع	IEC61071؛ GB/T17702؛

جدول مشخصات

ولتاژ	یونی ۷۰۰ ولت. دی سی، یورم ۴۰۰ ولت متناوب؛ یو اس ۱۰۵۰ ولت
	قطر (میلی‌متر)
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR در ۱۰۰ کیلوهرتز (میلی اهم)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	دما در ۴۰ درجه سانتیگراد و ۱۰۰ کیلوهرتز (آمپر)
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	12	25	۵۰۰	۲۳۵	8
۰.۶۸	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	10	25	۴۸۰	۳۲۶.۴	10
1	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	8	24	۴۵۰	۴۵۰	12
۱.۵	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	7	25	۴۳۰	۶۴۵ عدد	5
2	۴۲.۵	33	۳۵.۵	6	24	۴۲۰	۸۴۰	15
۲.۵	۴۲.۵	33	45	6	23	۴۰۰	۱۰۰۰	18
3	۴۲.۵	33	45	۵.۵	22	۳۸۰	۱۱۴۰	20
3	۵۷.۵	30	45	5	26	۳۵۰	۱۰۵۰	22
۳.۵	۴۲.۵	33	45	5	23	۳۵۰	۱۲۲۵	25
۳.۵	۵۷.۵	30	45	6	25	۳۰۰	۱۰۵۰	22
۴.۷	۵۷.۵	35	50	5	28	۲۸۰	۱۳۱۶	25
۵.۶	۵۷.۵	38	54	4	30	۲۵۰	۱۴۰۰	25
6	۵۷.۵	38	54	۳.۵	33	۲۳۰	۱۳۸۰	28
۶.۸	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۲	32	۲۲۰	۱۴۹۶	32
8	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۲.۸	30	۲۰۰	۱۶۰۰	33
ولتاژ	یک 1000 ولت DC، 500 ولت متناوب Urms؛ 1500 ولت Uss
	قطر (میلی‌متر)
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	11	25	۱۰۰۰	۴۷۰	10
۰.۶۸	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	8	25	۸۰۰	۵۴۴ عدد	12
1	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	6	24	۸۰۰	۸۰۰	15
۱.۵	۴۲.۵	33	45	6	24	۷۰۰	۱۰۵۰	15
2	۴۲.۵	33	45	5	22	۷۰۰	۱۴۰۰	20
۲.۵	۵۷.۵	30	45	5	30	۶۰۰	۱۵۰۰	22
3	۵۷.۵	35	50	4	30	۶۰۰	۱۸۰۰	25
۳.۳	۵۷.۵	35	50	۳.۵	28	۵۵۰	۱۸۱۵	25
۳.۵	۵۷.۵	38	54	۳.۵	28	۵۰۰	۱۷۵۰	25
4	۵۷.۵	38	54	۳.۲	26	۵۰۰	۲۰۰۰	28
۴.۷	۵۷.۵	۴۲.۵	56	3	25	۴۲۰	۱۹۷۴	30
۵.۶	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۲.۸	24	۴۰۰	۲۲۴۰	32
ولتاژ	Un 1200V.DC، Urms550Vac؛ Us1800V
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	11	24	۱۲۰۰	۵۶۴	10
۰.۶۸	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	7	23	۱۱۰۰	748	12
1	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	6	22	۸۰۰	۸۰۰	14
۱.۵	۴۲.۵	33	45	5	20	۸۰۰	۱۲۰۰	15
2	۵۷.۵	30	45	4	30	۷۵۰	۱۵۰۰	20
۲.۵	۵۷.۵	35	50	4	28	۷۰۰	۱۷۵۰	25
3	۵۷.۵	35	50	4	27	۶۰۰	۱۸۰۰	25
۳.۳	۵۷.۵	38	54	4	27	۵۵۰	۱۸۱۵	28
۳.۵	۵۷.۵	38	54	۳.۵	25	۵۰۰	۱۷۵۰	28
4	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۵	25	۴۵۰	۱۸۰۰	30
۴.۷	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۲	23	۴۲۰	۱۹۷۴	32
ولتاژ	یونی 1700 ولت. دی سی، اورمس 575 ولت متناوب؛ یو اس بی 2250 ولت
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۳۳	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	12	25	۱۳۰۰	۴۲۹	9
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	10	24	۱۳۰۰	۶۱۱	10
۰.۶۸	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	8	23	۱۳۰۰	۸۸۴	12
1	۴۲.۵	33	45	7	22	۱۲۰۰	۱۲۰۰	15
۱.۵	۴۲.۵	33	45	6	22	۱۲۰۰	۱۸۰۰	18
۱.۵	۵۷.۵	30	45	5	31	۱۲۰۰	۱۸۰۰	20
2	۵۷.۵	30	45	5	30	۱۱۰۰	۲۲۰۰	22
۲.۵	۵۷.۵	35	50	4	28	۱۱۰۰	۲۷۵۰	25
3	۵۷.۵	38	54	4	27	۷۰۰	۲۱۰۰	25
۳.۳	۵۷.۵	38	54	۳.۸	26	۶۰۰	۱۹۸۰	28
۳.۵	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۵	25	۵۰۰	۱۷۵۰	30
4	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۲	25	۴۵۰	۱۸۰۰	32
ولتاژ	یونی 2000 ولت. دی سی، اورمس 700 ولت متناوب؛ یو اس 3000 ولت
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۲۲	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	15	25	۱۵۰۰	۳۳۰	10
۰.۳۳	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	12	24	۱۵۰۰	۴۹۵	12
۰.۴۷	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	11	23	۱۴۰۰	۶۵۸	15
۰.۶۸	۴۲.۵	33	45	8	22	۱۲۰۰	۸۱۶ عدد	18
۰.۶۸	۵۷.۵	30	45	7	30	۱۱۰۰	748	20
۰.۸۲	۴۲.۵	33	45	7	28	۱۲۰۰	۹۸۴	22
1	۵۷.۵	30	45	6	28	۱۱۰۰	۱۱۰۰	25
۱.۵	۵۷.۵	35	50	5	25	۱۰۰۰	۱۵۰۰	28
2	۵۷.۵	38	54	5	24	۸۰۰	۱۶۰۰	28
۲.۲	۵۷.۵	۴۲.۵	56	4	23	۷۰۰	۱۵۴۰	32
ولتاژ	Un 3000V.DC، Urms750Vac؛ Us4500V
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۱۵	۴۲.۵	33	45	18	28	۲۵۰۰	۳۷۵	25
۰.۲۲	۴۲.۵	33	45	15	27	۲۲۰۰	۴۸۴	28
۰.۲۲	۵۷.۵	35	50	15	25	۲۰۰۰	۳۳۰	20
۰.۳۳	۵۷.۵	35	50	12	24	۱۸۰۰	۴۹۵	20
۰.۴۷	۵۷.۵	38	54	11	23	۱۶۰۰	۷۵۲ عدد	22
۰.۶۸	۵۷.۵	۴۲.۵	56	8	22	۱۵۰۰	۱۰۲۰	28

تصاویر جزئیات محصول:

راهنمای محصولات مرتبط:

ما بر پیشرفت تأکید داریم و هر ساله محصولات جدیدی را به بازار معرفی می‌کنیم تا انتخاب گسترده‌ای برای خازن‌های DC-Link برای مبدل‌های صنعتی - طراحی خازن اسنابر IGBT با کیفیت بالا برای کاربردهای توان بالا - CRE داشته باشیم. این محصول به سراسر جهان، مانند واشنگتن، فرانسه، انگلستان، عرضه خواهد شد. با افزایش محصولات و راه‌حل‌های چینی در سراسر جهان، تجارت بین‌المللی ما به سرعت در حال توسعه است و شاخص‌های اقتصادی سال به سال افزایش چشمگیری می‌یابند. ما اعتماد به نفس کافی داریم تا راه‌حل‌ها و خدمات بهتری را به شما ارائه دهیم، زیرا ما در داخل و خارج از کشور قدرتمندتر، متخصص‌تر و باتجربه‌تر بوده‌ایم.

خازن‌های DC-LINK در مبدل‌های قدرت

تولیدکننده خازن لایه‌ای

خازن رزونانس با کیفیت خوب

خازن فیلم با مقاومت جریان بالا

خازن های صنعتی برای فروش

خازن فیلتر AC خروجی اینورتر

خازن فیلم با ESL پایین

خازن فیلم پالس پاور

خازن خود ترمیم شونده

خازن اسنابر برای Infineon Igbt

مدیر محصول فرد بسیار حرفه‌ای و جذابی است، ما گفتگوی دلپذیری داشتیم و در نهایت به توافق جمعی رسیدیم.

توسط کریس از مومباسا - 2018.12.25 12:43

ما یک شرکت کوچک هستیم که تازه شروع به کار کرده‌ایم، اما توجه مدیر شرکت را جلب کرده‌ایم و کمک زیادی به ما کرده‌اند. امیدواریم بتوانیم با هم پیشرفت کنیم!

نوشته‌ی روزالیند از قطر - ۲۰۱۸.۱۲.۱۰ ۱۹:۰۳