محصولات جدید و داغ خازن لایه‌ای طراحی فشرده - خازن اسنابر لایه‌ای پلی‌پروپیلن با دی‌الکتریک کم تلفات برای کاربرد IGBT – CRE

محصولات جدید و داغ خازن لایه‌ای با طراحی فشرده - خازن اسنابر لایه‌ای پلی‌پروپیلن با دی‌الکتریک کم تلفات برای کاربرد IGBT – تصویر ویژه CRE

شرح مختصر:

برای ما ایمیل ارسال کنید دانلود به صورت PDF

جزئیات محصول

برچسب‌های محصول

ویدئوهای مرتبط

بازخورد (2)

برای بهبود مستمر تکنیک مدیریت به موجب قانون شما مبنی بر "صمیمانه، ایمان راسخ و کیفیت بالا اساس توسعه شرکت هستند"، ما به طور گسترده جوهره کالاهای مشابه را در سطح بین المللی جذب می کنیم و به طور مداوم کالاهای جدیدی را برای برآوردن خواسته های مشتریان می سازیم.خازن رزونانس سفارشی , خازن فیلم برای اینورتر قدرت , خازن لینک DC ولتاژ بالااکنون ما تأسیسات تولیدی با بیش از ۱۰۰ کارمند را تجربه کرده‌ایم. بنابراین می‌توانیم زمان تحویل کوتاه و کیفیت بالا را تضمین کنیم.

محصولات جدید و داغ خازن لایه‌ای طراحی فشرده - خازن اسنابر لایه‌ای پلی‌پروپیلن با دی‌الکتریک کم تلفات برای کاربرد IGBT – CRE جزئیات:

سری SMJ-P

محدوده ولتاژ نامی: ۱۰۰۰ ولت DC تا ۲۰۰۰ ولت DC
محدوده ظرفیت خازنی: 0.1 میکروفاراد تا 3.0 میکروفاراد
فاصله نصب: 22.5 میلی‌متر تا 48 میلی‌متر
ساختار: اتصال سری داخلی دی‌الکتریک پلی‌پروپیلن متالیزه
کاربرد: حفاظت IGBT، مدارهای مخزن رزونانس

المان‌های خازن اسنابر خشک و خود ترمیم شونده با استفاده از فیلم PP متالیزه شده با برش موجی ویژه تولید می‌شوند که اندوکتانس خودی پایین، مقاومت پارگی بالا و قابلیت اطمینان بالا را تضمین می‌کند. قطع اتصال در اثر فشار بیش از حد ضروری تلقی نمی‌شود. بالای خازن با اپوکسی خود خاموش شونده و سازگار با محیط زیست آب‌بندی شده است. طراحی ویژه، اندوکتانس خودی بسیار پایین را تضمین می‌کند.

IMG_0397.HEIC

جدول مشخصات

ولتاژ	یونی ۷۰۰ ولت. دی سی، یورم ۴۰۰ ولت متناوب؛ یو اس ۱۰۵۰ ولت
	قطر (میلی‌متر)
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR در ۱۰۰ کیلوهرتز (میلی اهم)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	دما در ۴۰ درجه سانتیگراد و ۱۰۰ کیلوهرتز (آمپر)
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	12	25	۵۰۰	۲۳۵	8
۰.۶۸	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	10	25	۴۸۰	۳۲۶.۴	10
1	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	8	24	۴۵۰	۴۵۰	12
۱.۵	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	7	25	۴۳۰	۶۴۵ عدد	5
2	۴۲.۵	33	۳۵.۵	6	24	۴۲۰	۸۴۰	15
۲.۵	۴۲.۵	33	45	6	23	۴۰۰	۱۰۰۰	18
3	۴۲.۵	33	45	۵.۵	22	۳۸۰	۱۱۴۰	20
3	۵۷.۵	30	45	5	26	۳۵۰	۱۰۵۰	22
۳.۵	۴۲.۵	33	45	5	23	۳۵۰	۱۲۲۵	25
۳.۵	۵۷.۵	30	45	6	25	۳۰۰	۱۰۵۰	22
۴.۷	۵۷.۵	35	50	5	28	۲۸۰	۱۳۱۶	25
۵.۶	۵۷.۵	38	54	4	30	۲۵۰	۱۴۰۰	25
6	۵۷.۵	38	54	۳.۵	33	۲۳۰	۱۳۸۰	28
۶.۸	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۲	32	۲۲۰	۱۴۹۶	32
8	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۲.۸	30	۲۰۰	۱۶۰۰	33

ولتاژ	یک 1000 ولت DC، 500 ولت متناوب Urms؛ 1500 ولت Uss
	قطر (میلی‌متر)
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	11	25	۱۰۰۰	۴۷۰	10
۰.۶۸	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	8	25	۸۰۰	۵۴۴ عدد	12
1	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	6	24	۸۰۰	۸۰۰	15
۱.۵	۴۲.۵	33	45	6	24	۷۰۰	۱۰۵۰	15
2	۴۲.۵	33	45	5	22	۷۰۰	۱۴۰۰	20
۲.۵	۵۷.۵	30	45	5	30	۶۰۰	۱۵۰۰	22
3	۵۷.۵	35	50	4	30	۶۰۰	۱۸۰۰	25
۳.۳	۵۷.۵	35	50	۳.۵	28	۵۵۰	۱۸۱۵	25
۳.۵	۵۷.۵	38	54	۳.۵	28	۵۰۰	۱۷۵۰	25
4	۵۷.۵	38	54	۳.۲	26	۵۰۰	۲۰۰۰	28
۴.۷	۵۷.۵	۴۲.۵	56	3	25	۴۲۰	۱۹۷۴	30
۵.۶	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۲.۸	24	۴۰۰	۲۲۴۰	32

ولتاژ	Un 1200V.DC، Urms550Vac؛ Us1800V
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	11	24	۱۲۰۰	۵۶۴	10
۰.۶۸	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	7	23	۱۱۰۰	748	12
1	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	6	22	۸۰۰	۸۰۰	14
۱.۵	۴۲.۵	33	45	5	20	۸۰۰	۱۲۰۰	15
2	۵۷.۵	30	45	4	30	۷۵۰	۱۵۰۰	20
۲.۵	۵۷.۵	35	50	4	28	۷۰۰	۱۷۵۰	25
3	۵۷.۵	35	50	4	27	۶۰۰	۱۸۰۰	25
۳.۳	۵۷.۵	38	54	4	27	۵۵۰	۱۸۱۵	28
۳.۵	۵۷.۵	38	54	۳.۵	25	۵۰۰	۱۷۵۰	28
4	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۵	25	۴۵۰	۱۸۰۰	30
۴.۷	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۲	23	۴۲۰	۱۹۷۴	32

ولتاژ	یونی 1700 ولت. دی سی، اورمس 575 ولت متناوب؛ یو اس بی 2250 ولت
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۳۳	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	12	25	۱۳۰۰	۴۲۹	9
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	10	24	۱۳۰۰	۶۱۱	10
۰.۶۸	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	8	23	۱۳۰۰	۸۸۴	12
1	۴۲.۵	33	45	7	22	۱۲۰۰	۱۲۰۰	15
۱.۵	۴۲.۵	33	45	6	22	۱۲۰۰	۱۸۰۰	18
۱.۵	۵۷.۵	30	45	5	31	۱۲۰۰	۱۸۰۰	20
2	۵۷.۵	30	45	5	30	۱۱۰۰	۲۲۰۰	22
۲.۵	۵۷.۵	35	50	4	28	۱۱۰۰	۲۷۵۰	25
3	۵۷.۵	38	54	4	27	۷۰۰	۲۱۰۰	25
۳.۳	۵۷.۵	38	54	۳.۸	26	۶۰۰	۱۹۸۰	28
۳.۵	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۵	25	۵۰۰	۱۷۵۰	30
4	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۲	25	۴۵۰	۱۸۰۰	32

ولتاژ	یونی 2000 ولت. دی سی، اورمس 700 ولت متناوب؛ یو اس 3000 ولت
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۲۲	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	15	25	۱۵۰۰	۳۳۰	10
۰.۳۳	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	12	24	۱۵۰۰	۴۹۵	12
۰.۴۷	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	11	23	۱۴۰۰	۶۵۸	15
۰.۶۸	۴۲.۵	33	45	8	22	۱۲۰۰	۸۱۶ عدد	18
۰.۶۸	۵۷.۵	30	45	7	30	۱۱۰۰	748	20
۰.۸۲	۴۲.۵	33	45	7	28	۱۲۰۰	۹۸۴	22
1	۵۷.۵	30	45	6	28	۱۱۰۰	۱۱۰۰	25
۱.۵	۵۷.۵	35	50	5	25	۱۰۰۰	۱۵۰۰	28
2	۵۷.۵	38	54	5	24	۸۰۰	۱۶۰۰	28
۲.۲	۵۷.۵	۴۲.۵	56	4	23	۷۰۰	۱۵۴۰	32

ولتاژ	Un 3000V.DC، Urms750Vac؛ Us4500V
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۱۵	۴۲.۵	33	45	18	28	۲۵۰۰	۳۷۵	25
۰.۲۲	۴۲.۵	33	45	15	27	۲۲۰۰	۴۸۴	28
۰.۲۲	۵۷.۵	35	50	15	25	۲۰۰۰	۳۳۰	20
۰.۳۳	۵۷.۵	35	50	12	24	۱۸۰۰	۴۹۵	20
۰.۴۷	۵۷.۵	38	54	11	23	۱۶۰۰	۷۵۲ عدد	22
۰.۶۸	۵۷.۵	۴۲.۵	56	8	22	۱۵۰۰	۱۰۲۰	28

تصاویر جزئیات محصول:

راهنمای محصولات مرتبط:

هدف ما معمولاً ارائه اقلام با کیفیت بالا در محدوده قیمت‌های رقابتی و خدمات درجه یک به خریداران در سراسر جهان است. ما دارای گواهینامه‌های ISO9001، CE و GS هستیم و کاملاً به مشخصات کیفیت بالای آنها برای محصولات جدید و داغ پایبندیم. خازن فیلم فشرده طراحی شده - خازن اسنابر دی الکتریک با تلفات کم از فیلم پلی پروپیلن برای کاربرد IGBT - CRE. این محصول به سراسر جهان، مانند: عراق، موناکو، مکزیک، عرضه خواهد شد. ما فقط اقلام با کیفیت را عرضه می‌کنیم و معتقدیم که این تنها راه برای ادامه تجارت است. ما می‌توانیم خدمات سفارشی مانند لوگو، اندازه سفارشی یا کالای سفارشی و غیره را نیز ارائه دهیم که می‌تواند مطابق با نیاز مشتری باشد.

خازن‌ها در کاربردهای خودرو

خازن فیلم با طراحی فشرده

خازن رزونانس سفارشی

خازن فیلتر کننده جریان مستقیم

تولیدکننده خازن لایه‌ای

خازن رزونانس هارمونیک

خازن FIM با تلفات ظرفیت پایین

خازن فیلم پلی پروپیلن

خازن خشک خود ترمیم شونده

خازن اسنابر

این کارخانه می‌تواند نیازهای اقتصادی و بازار را که به طور مداوم در حال توسعه هستند، برآورده کند، به طوری که محصولات آنها به طور گسترده شناخته شده و مورد اعتماد هستند و به همین دلیل ما این شرکت را انتخاب کردیم.