اسنابر فروش ویژه کارخانه‌ای برای تریستورهای توان بالا - طراحی خازن اسنابر IGBT درجه یک برای کاربردهای توان بالا - CRE

اسنابر کارخانه‌ای با فروش ویژه برای تریستورهای توان بالا - طراحی خازن اسنابر IGBT درجه یک برای کاربردهای توان بالا - تصویر ویژه CRE

شرح مختصر:

برای ما ایمیل ارسال کنید دانلود به صورت PDF

جزئیات محصول

برچسب‌های محصول

ویدئوهای مرتبط

بازخورد (2)

کیفیت حرف اول را می‌زند؛ خدمات در درجه اول اهمیت قرار دارد؛ تجارت یعنی همکاری» فلسفه کسب و کار ماست که به طور مداوم توسط شرکت ما رعایت و دنبال می‌شود.خازن الکترونیکی قدرت فیلتر AC, خازن‌های فیلم قدرت دی‌سی , فیلتر AC برای کاربرد EPSما صمیمانه امیدواریم که در آینده نزدیک روابط رضایت‌بخشی با شما برقرار کنیم. شما را در جریان پیشرفت‌هایمان قرار خواهیم داد و مشتاقانه منتظر ایجاد روابط تجاری پایدار با شما هستیم.

اسنابر کارخانه‌ای با فروش ویژه برای تریستورهای توان بالا - طراحی خازن اسنابر IGBT درجه یک برای کاربردهای توان بالا - CRE جزئیات:

داده‌های فنی

محدوده دمای عملیاتی	حداکثر دمای عملیاتی، بالا، حداکثر: +105℃ دمای دسته بالا: +85℃ دمای دسته پایین: -40℃
محدوده ظرفیت خازنی	0.1μF ~ 5.6μF
ولتاژ نامی	۷۰۰ ولت DC تا ۳۰۰۰ ولت DC
کاپ.تول	±5%(ژول)؛ ±10%(کلوین)
ولتاژ را تحمل کنید	۱.۵ یونیت DC/10S
ضریب اتلاف	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
مقاومت عایق	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (در دمای 20 درجه سانتیگراد، 100 ولت، جریان مستقیم، 60 ثانیه) C> 0.33μF RS*C≥5000S (در دمای 20 درجه سانتیگراد 100 ولت DC 60 ثانیه)
مقاومت در برابر جریان ضربه‌ای	به برگه اطلاعات مراجعه کنید
مهار شعله	UL94V-0
امید به زندگی	100000h (Un; Θhotspot≤85°C)
استاندارد مرجع	IEC61071؛ GB/T17702؛

جدول مشخصات

ولتاژ	یونی ۷۰۰ ولت. دی سی، یورم ۴۰۰ ولت متناوب؛ یو اس ۱۰۵۰ ولت
	قطر (میلی‌متر)
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR در ۱۰۰ کیلوهرتز (میلی اهم)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	دما در ۴۰ درجه سانتیگراد و ۱۰۰ کیلوهرتز (آمپر)
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	12	25	۵۰۰	۲۳۵	8
۰.۶۸	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	10	25	۴۸۰	۳۲۶.۴	10
1	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	8	24	۴۵۰	۴۵۰	12
۱.۵	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	7	25	۴۳۰	۶۴۵ عدد	5
2	۴۲.۵	33	۳۵.۵	6	24	۴۲۰	۸۴۰	15
۲.۵	۴۲.۵	33	45	6	23	۴۰۰	۱۰۰۰	18
3	۴۲.۵	33	45	۵.۵	22	۳۸۰	۱۱۴۰	20
3	۵۷.۵	30	45	5	26	۳۵۰	۱۰۵۰	22
۳.۵	۴۲.۵	33	45	5	23	۳۵۰	۱۲۲۵	25
۳.۵	۵۷.۵	30	45	6	25	۳۰۰	۱۰۵۰	22
۴.۷	۵۷.۵	35	50	5	28	۲۸۰	۱۳۱۶	25
۵.۶	۵۷.۵	38	54	4	30	۲۵۰	۱۴۰۰	25
6	۵۷.۵	38	54	۳.۵	33	۲۳۰	۱۳۸۰	28
۶.۸	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۲	32	۲۲۰	۱۴۹۶	32
8	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۲.۸	30	۲۰۰	۱۶۰۰	33
ولتاژ	یک 1000 ولت DC، 500 ولت متناوب Urms؛ 1500 ولت Uss
	قطر (میلی‌متر)
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	11	25	۱۰۰۰	۴۷۰	10
۰.۶۸	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	8	25	۸۰۰	۵۴۴ عدد	12
1	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	6	24	۸۰۰	۸۰۰	15
۱.۵	۴۲.۵	33	45	6	24	۷۰۰	۱۰۵۰	15
2	۴۲.۵	33	45	5	22	۷۰۰	۱۴۰۰	20
۲.۵	۵۷.۵	30	45	5	30	۶۰۰	۱۵۰۰	22
3	۵۷.۵	35	50	4	30	۶۰۰	۱۸۰۰	25
۳.۳	۵۷.۵	35	50	۳.۵	28	۵۵۰	۱۸۱۵	25
۳.۵	۵۷.۵	38	54	۳.۵	28	۵۰۰	۱۷۵۰	25
4	۵۷.۵	38	54	۳.۲	26	۵۰۰	۲۰۰۰	28
۴.۷	۵۷.۵	۴۲.۵	56	3	25	۴۲۰	۱۹۷۴	30
۵.۶	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۲.۸	24	۴۰۰	۲۲۴۰	32
ولتاژ	Un 1200V.DC، Urms550Vac؛ Us1800V
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	11	24	۱۲۰۰	۵۶۴	10
۰.۶۸	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	7	23	۱۱۰۰	748	12
1	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	6	22	۸۰۰	۸۰۰	14
۱.۵	۴۲.۵	33	45	5	20	۸۰۰	۱۲۰۰	15
2	۵۷.۵	30	45	4	30	۷۵۰	۱۵۰۰	20
۲.۵	۵۷.۵	35	50	4	28	۷۰۰	۱۷۵۰	25
3	۵۷.۵	35	50	4	27	۶۰۰	۱۸۰۰	25
۳.۳	۵۷.۵	38	54	4	27	۵۵۰	۱۸۱۵	28
۳.۵	۵۷.۵	38	54	۳.۵	25	۵۰۰	۱۷۵۰	28
4	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۵	25	۴۵۰	۱۸۰۰	30
۴.۷	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۲	23	۴۲۰	۱۹۷۴	32
ولتاژ	یونی 1700 ولت. دی سی، اورمس 575 ولت متناوب؛ یو اس بی 2250 ولت
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۳۳	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	12	25	۱۳۰۰	۴۲۹	9
۰.۴۷	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	10	24	۱۳۰۰	۶۱۱	10
۰.۶۸	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	8	23	۱۳۰۰	۸۸۴	12
1	۴۲.۵	33	45	7	22	۱۲۰۰	۱۲۰۰	15
۱.۵	۴۲.۵	33	45	6	22	۱۲۰۰	۱۸۰۰	18
۱.۵	۵۷.۵	30	45	5	31	۱۲۰۰	۱۸۰۰	20
2	۵۷.۵	30	45	5	30	۱۱۰۰	۲۲۰۰	22
۲.۵	۵۷.۵	35	50	4	28	۱۱۰۰	۲۷۵۰	25
3	۵۷.۵	38	54	4	27	۷۰۰	۲۱۰۰	25
۳.۳	۵۷.۵	38	54	۳.۸	26	۶۰۰	۱۹۸۰	28
۳.۵	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۵	25	۵۰۰	۱۷۵۰	30
4	۵۷.۵	۴۲.۵	56	۳.۲	25	۴۵۰	۱۸۰۰	32
ولتاژ	یونی 2000 ولت. دی سی، اورمس 700 ولت متناوب؛ یو اس 3000 ولت
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۲۲	۴۲.۵	۲۴.۵	۲۷.۵	15	25	۱۵۰۰	۳۳۰	10
۰.۳۳	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	12	24	۱۵۰۰	۴۹۵	12
۰.۴۷	۴۲.۵	۳۳.۵	۳۵.۵	11	23	۱۴۰۰	۶۵۸	15
۰.۶۸	۴۲.۵	33	45	8	22	۱۲۰۰	۸۱۶ عدد	18
۰.۶۸	۵۷.۵	30	45	7	30	۱۱۰۰	748	20
۰.۸۲	۴۲.۵	33	45	7	28	۱۲۰۰	۹۸۴	22
1	۵۷.۵	30	45	6	28	۱۱۰۰	۱۱۰۰	25
۱.۵	۵۷.۵	35	50	5	25	۱۰۰۰	۱۵۰۰	28
2	۵۷.۵	38	54	5	24	۸۰۰	۱۶۰۰	28
۲.۲	۵۷.۵	۴۲.۵	56	4	23	۷۰۰	۱۵۴۰	32
ولتاژ	Un 3000V.DC، Urms750Vac؛ Us4500V
سی‌ان (μF)	ل (±1)	تی (±۱)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (ولت/میکرو ثانیه)	ایپک (الف)	ایرمز
۰.۱۵	۴۲.۵	33	45	18	28	۲۵۰۰	۳۷۵	25
۰.۲۲	۴۲.۵	33	45	15	27	۲۲۰۰	۴۸۴	28
۰.۲۲	۵۷.۵	35	50	15	25	۲۰۰۰	۳۳۰	20
۰.۳۳	۵۷.۵	35	50	12	24	۱۸۰۰	۴۹۵	20
۰.۴۷	۵۷.۵	38	54	11	23	۱۶۰۰	۷۵۲ عدد	22
۰.۶۸	۵۷.۵	۴۲.۵	56	8	22	۱۵۰۰	۱۰۲۰	28

تصاویر جزئیات محصول:

راهنمای محصولات مرتبط:

در چند سال گذشته، شرکت ما فناوری‌های پیشرفته را چه در داخل و چه در خارج از کشور جذب و هضم کرده است. در همین حال، شرکت ما تیمی از متخصصان را به توسعه اسنابرهای کارخانه‌ای پرفروش برای تریستورهای توان بالا اختصاص داده است - طراحی خازن اسنابر IGBT با کیفیت بالا برای کاربردهای توان بالا - CRE. این محصول به سراسر جهان، مانند: عراق، موناکو، صربستان، عرضه خواهد شد. برای حفظ جایگاه پیشرو در صنعت خود، ما هرگز از به چالش کشیدن محدودیت‌ها در همه جنبه‌ها برای ایجاد محصولات ایده‌آل دست بر نمی‌داریم. به این ترتیب، می‌توانیم سبک زندگی خود را غنی‌تر کنیم و محیط زندگی بهتری را برای جامعه جهانی ترویج دهیم.

فیلتر AC مورد استفاده برای سیستم قدرت کششی ریلی

خازن DC-LINK برای اینورترهای صنعتی

خازن فیلم خشک

کارخانه خازن فیلم

تولیدکننده خازن لایه‌ای

تامین کننده جهانی خازن

خازن‌های ذخیره انرژی بالا

کمک فنر IGBT

خازن رزونانس کوره فرکانس متوسط

خازن قدرت برای لینک DC

این شرکت می‌تواند به همان چیزی فکر کند که ما فکر می‌کنیم، فوریت اقدام در جهت منافع موقعیت ما را تشخیص می‌دهد، می‌توان گفت که این یک شرکت مسئولیت‌پذیر است، ما همکاری خوبی داشتیم!