کارخانه ساخت خازن اسنابر برای Igbt - دی الکتریک کم تلفات فیلم پلی پروپیلن خازن اسنابر برای کاربرد IGBT - CRE

کارخانه ساخت خازن اسنابر برای Igbt - دی الکتریک کم تلفات فیلم پلی پروپیلن خازن اسنابر برای کاربرد IGBT - تصویر ویژه CRE

توضیح کوتاه:

برای ما ایمیل بفرستید دانلود به صورت PDF

جزئیات محصول

برچسب های محصول

ویدیو مرتبط

بازخورد (2)

محصولات با مدیریت خوب، گروه درآمد ماهر و محصولات و خدمات پس از فروش بهتر؛ما همچنین یک خانواده بزرگ و متحد بوده ایم، همه مردم به قیمت کسب و کار "اتحاد، فداکاری، تحمل" پایبند هستند.خازن DC برای سیستم های شارژ باتری , خازن کیس پلاستیکی استوانه ای , خازن فیلم متالایز Pp، دیدن باور می کند!ما صمیمانه از مشتریان جدید خارج از کشور برای ایجاد انجمن های سازمانی استقبال می کنیم و همچنین امیدواریم که با استفاده از چشم اندازهای طولانی مدت، انجمن ها را تحکیم کنیم.

خازن Snubber برای Igbt کارخانه ساخت - دی الکتریک کم اتلاف فیلم پلی پروپیلن خازن Snubber برای کاربرد IGBT - جزئیات CRE:

سری SMJ-P

محدوده ولتاژ نامی: 1000 VDC تا 2000 VDC
محدوده ظرفیت: 0.1 uf تا 3.0 uf
گام نصب: 22.5 میلی متر تا 48 میلی متر
ساخت و ساز: اتصال سری داخلی دی الکتریک پلی پروپیلن متالیزه
کاربرد: حفاظت IGBT، مدارهای مخزن تشدید

عناصر خازن خود ترمیم شونده، نوع خشک، با استفاده از فیلم PP متالیز شده با پروفیل خاص تولید می شوند که خود القایی کم، مقاومت در برابر گسیختگی بالا و قابلیت اطمینان بالا را تضمین می کند.قطع فشار بیش از حد ضروری در نظر گرفته نمی شود.رویه خازن با اپوکسی سازگار با محیط زیست خود خاموش شونده آب بندی شده است.طراحی خاص خود القایی بسیار کم را تضمین می کند.

IMG_0397.HEIC

جدول مشخصات

ولتاژ	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	ابعاد (mm)
Cn(μF)	L(1±)	T(1±)	H(1±)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

ولتاژ	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	ابعاد (mm)
Cn(μF)	L(1±)	T(1±)	H(1±)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

ولتاژ	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(1±)	T(1±)	H(1±)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

ولتاژ	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(1±)	T(1±)	H(1±)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

ولتاژ	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(1±)	T(1±)	H(1±)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

ولتاژ	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(1±)	T(1±)	H(1±)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

تصاویر جزئیات محصول:

راهنمای محصولات مرتبط:

به قرارداد پایبند باشید"، مطابق با نیاز بازار است، با کیفیت برتر خود به رقابت در بازار می پیوندد و همچنین شرکتی بسیار جامع تر و عالی را برای خریداران فراهم می کند تا آنها را به برنده بزرگ تبدیل کنند. رضایت برای کارخانه سازنده خازن اسناببر برای Igbt - دی الکتریک کم تلفات فیلم پلی پروپیلن خازن اسناببر برای کاربرد IGBT - CRE، محصول به سراسر جهان عرضه می شود، مانند: پروونس، اسلو، اکوادور، آیا انتخاب یک محصول فعلی از ما کاتالوگ یا به دنبال کمک مهندسی برای درخواست خود، می توانید با مرکز خدمات مشتریان ما در مورد نیازهای منبع خود صحبت کنید.

بانک خازن فیلم Ac

خازن منبع تغذیه AC

خازن فیلم طراحی فشرده

خازن فیلم سفارشی

خازن Dc-Link برای سیستم های انرژی تجدید پذیر

خازن الکترونیکی

خازن فیلم طراحی شده برای اینورتر PV

خازن فیلم با کارایی بالا

خازن پیوند DC اینورتر

خازن فیلم تایید شده Ul

تجهیزات کارخانه در صنعت پیشرفته است و محصول کار خوب است، علاوه بر این، قیمت بسیار ارزان، ارزش برای پول است!

توسط سابرینا از اسلواکی - 2017.08.28 16:02

مدیر فروش دارای سطح انگلیسی خوب و دانش حرفه ای ماهر است، ما ارتباط خوبی داریم.او مردی خونگرم و بشاش است، همکاری خوبی با هم داشتیم و در خلوت با هم دوستان بسیار خوبی شدیم.

توسط مایک از آنگویلا - 2018.09.08 17:09